InGaAs APD用于距离测量、光学通信和弱光探测。
■特征
・低暗电流
・低电容
・高灵敏度
| 接收光的表面尺寸 | φ0.1毫米 |
|---|---|
| 包装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-18 |
| 灵敏度波长范围 | 950 nm ~ 1700 nm |
| *灵敏度波长类型 | 1550 nm |
| 光敏感类型。 | 0.9 A/W |
| 暗电流上限。 | 140 nA |
| 破频类型。 | 1500 MHz |
| 终端到终端容量类型。 | 0.7 pF |
| 击穿电压类型。 | 55 V |
| 击穿电压温度系数类型。 | 0.11 V/°C |
| 测量条件 | Ta=25°C，灵敏度：λ=1.55微米，M=1 |
京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G8931-10
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