日本mitsubishi模块性能好，经销三菱模块
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External gate resistance
IC = 10mA, VCE = 10V
IC = 100A, VGE = 15V
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VGE = 0V 310grease of λ = 0.9[W/（m ? K）].
2. Pulse width and repetition rate should be such that the device junction temperature
压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT（j-f）低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝（AlN）绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
MITSUBISHI IGBT MODULE
HIGH POWER SWITCHING US 150
VEC（Note 1by using thermally conductive
功率循环能力显著改善
应用领域
适合中、低端变频器产品设计
封装尺寸
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