松下微型激光位移传感器HG-C基本
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稳定检测10μm的CMOS激光传感器分与受光元件
（CMOS）之间的光路长度，从而可获
得精度更高、更稳定的测量值，但约φ500μm 约φ150μm
受光元件CMOS图像传感器
电源电压12V DC～24V DC±10% 脉动P-P10%
消耗电流40mA以下（电源电压24V DC时）、60mA以下（电源电压12V DC时）
控制输出
〈NPN输出型〉
NPN开路集电极晶体管
松下微型激光位移传感器HG-C基本
·大流入电流：50mA
·外加电压：30VDC以下（控制输出和0V之间）
·剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA时）
·漏电流：0.1mA以
是另一方面，传感器的进深方向会变
长，机身形状也会变大。HG-C系列
·直线性：±0.1%F.S. ·温度特性：0.03%F.S./℃
不仅能以mm为单位显示数值般通过延长受光部高精度，还能读取模拟电压输出。
读入到PLC＋模拟量单元，还能执行各种运
设计出内部设置反射镜的光学系
统，并缩短进深方向的尺寸，同时又
可实现与变位传感器相媲美的导体激光 2级（JIS/IEC/GB）、Ⅱ级（FDA）（注2）
大输出：1mW、投光峰波长度：655nm
红色半导体激光 Ⅰ级（JIS/IEC/GB）
大输出：0.2mW、投光峰波长度：655nm
光束直径约φ50μm 约φ70μm 约φ120μm 约φ300μm
PNP开路集电极晶体管
·大源电流：50mA
·外加电压：30V DC以下（控制输出和＋V之间）
·剩余电压：1.5V以下（流入电
形状达到业内小型级别 ※进深：25mm业内较短
W20mm×H44mm×D25mm
※截止到2014年3月，根据本公司调查
配备模拟输出高精度CMOS影像传感器&配备的算法
采用位移传感器所使用的高精度CMOS影像传感器，以及位移传感器
一直使用的本公司的算法，实现了至今未有的微型激光传感器
1mm/100mm的高精度。算，并存储（记录）测量值。
松下微型激光位移传感器HG-C基本
