东莞市百鑫机电有限公司
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AE2000-SW 4P 2000A （抽出式）畸变波电流的原因
畸变波是由诸如计算机电源装置的 CVCF 设备、各种整流器、反映更现代的节能技术的感应电动机控制 VVVF设备等使用可控硅和晶体管的因素引起的。这些设备使用半导体开关功能产生直流电源，而且将产生的直流电源变换成交流电源。一般来说，在整流电路的下游侧接有一个大容量电容器平滑整流，因而电容器的充电电流以脉冲形式流入电源电路。因为电压在从交流至直流的变换过程中经过了高频斩波，叠加了经过基频斩波的高
频电流的负荷电流流入负荷线路。本段落说明这些设备中的 VVVF 变频器，它将进一步发展成现在广泛使用于不同领域中的感应电动机的主要控制方法。 表示变频器电路的 MCCB 应用例。两种控制方法 -PAM（脉幅调制）和 PWM（脉宽调制）- 适用于 VVVF 变频器并依控制方法的差异产生不同的较高谐波成分。这种输入电流的谐波成分可以通过输入直流电抗器（DCL）或交流电抗器（ACL）削减（改善）。
而且，在输出电流波形如图 7.29 所示的情况下，PWM 产生高于PAM 的谐波成分。
MCCB 的选择
取决于电流波形畸变的 MCCB 的特性变化和温度上升必须在选择适用于变频器电路（电源电路）的 MCCB 时考虑。额定电流 IMCCB 对 MCCB 的负荷电流 I 的关系从 MCCB 脱扣系统中选择如下。热磁式（双金属系统）和电子式（RMS 值检测）都是在畸变波电流条件下也能正确进行过负荷保护的 RMS 值电流检测系统。由上述说明，好选择 RMS 值电流检测式 MCCB短路部分的过负荷（不论是外部还是桥式电路可控硅元件）都需要快速断开电路。一般来说，这种断路操作在一个周期内发生；因此，从元件热破坏的观看看来，必须考虑平方电流的时间积分。在量值上，元件的容许它被转换施加于元件上。后者会受到短路电流量、断路时间及 MCCB 的限流能力的影响。重要的是要注意到 MCCB 的断路时间会受到负荷侧的短路电流上升率 di/dt 的很大影响。因此，线路电感和平滑电感对 di/dt 有很大的影响。如果潜在短路电流非常大，电感必须增大以限制上升率并协助 MCCB 在安全时间内断开电路。因为电路常数已决定，好进行测试计算来确认这种关系。假定有大电流上升率，交流侧短路电流 i =Ipssin ωt, ，MCCB 断路时间为一个周期，施加于可控硅的二极管一般比可控硅更耐过电流，而且因为二极管可以处理较大的 It·t ，所以保护也比较简单。
表示装置选择的保护协调状况，同时也描绘可控硅的耐电涌曲线。图中所示的交流侧保护（图7.15的 MCCB1），但直流保护方式（MCCB2）也可以相同的方法描绘。
图 7.17 中的区域 2 是受 MCCB 影响的保护的过电流区域。对于区域 1 的保护，过负荷继电器是有效的，对于区域 2，电感 L 必须用来限制故障电流上升率，否则必须使用高速限流保险丝。包括经济性和实际故障发生率的实际考虑在大多数情况下可能得出省略区域1或3 的保护装置的结论。MCCB 的瞬时脱扣设定
