IGN1030L1000
航空电子晶体管产品介绍
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产品型号：IGN1030L1000
产品名称：L波段航空电子晶体管 - 氮化镓
IGN1030L1000产品特性
GaN on SiC HEMT Technology
P OUT-PK = 1000W @ ELM Mode S / 6.4% / 50V; (P AVG = 64W)
1.030GHz Operating Frequency
Internal Impedance Pre-matched Device
Depletion Mode Device
Negative Gate Voltage and Bias Sequencing Required
Specified For Use Under Class AB Operation
Metal Based Package Sealed With Ceramic-Epoxy Lid
Gold Metallization System: Chip - Wire Bond - Package
Package Size: W=1.340″ (34.04mm), L=0.385″ (9.78mm)
High Power RF Tested in Fixed Tuned RF Test Fixture
IGN1030L1000产品详情:
Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。
IGN1030L1000产品应用
航空
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IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1090M800
优势产品:MACOM放大器/QORVO放大器滤波器/MINI滤波器功分器/PEREGRINE射频开关/ Innovative Power Products(IPP)耦合器/ADI放大器数模转换器陀螺仪/MARKI混频器巴伦/INTEGRA功率管/ SUMITOMO ELECTRIC功率管/MAXIM放大器/Z-COMM模块/UMS放大器/Interpoint模块
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