BALLUFF巴鲁夫光电传感器BUS M18M1-XB-07/035-S92G 24V结构

BALLUFF巴鲁夫光电传感器BUS M18M1-XB-07/035-S92G 24V结构

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0850-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0900-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M0950-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1000-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1100-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1200-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1300-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1400-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1500-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1600-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1700-B-S32

Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-E17-M1800-B-S32

光电传感器通常由三部分构成，它们分别为:发送器、接收器和检测电路。

发射器带一个校准镜头，将光聚焦射向接收器，接收器出电缆将这套装置接到一个真空管放大器上。在金属圆筒内有一个小的白炽灯做为光源，这些小而坚固的白炽灯传感器就是如今光电传感器的雏形。

收器有光电二极管、光电三极管及光电池组成。光敏二极管是现在*常见的传感器。光电传感器光敏二极管的外型与一般二极管一样，只是它的管壳上开有一个嵌着玻璃的窗口，以便于光线射入，为增加受光面积，PN结的面积做得较大，光敏二极管工作在反向偏置的工作状态下，并与负载电阻相串联，当无光照时，它与普通二极管一样，反向电流很小称为光敏二极管的暗电流;当有光照时，载流子被激发，产生电子-空穴，称为光电载流子。

光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。

光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为:发送器、接收器和检测电路。

发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面，装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路，它能滤出有效信号和应用该信号。

此外，光电开关的结构元件中还有发射板和光导纤维。

光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。

BALLUFF巴鲁夫光电传感器BUS M18M1-XB-07/035-S92G 24V结构