Honeywell霍尼韦尔位置传感器SPS-L075-HALS作用

Honeywell霍尼韦尔位置传感器SPS-L075-HALS作用

在一块通电的半导体薄片上，加上和片子表面垂直的磁场b，在薄片的横向两侧会出现一个电压，如图1中的vh，这种现象就是霍尔效应，是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。vh称为霍尔电压。 这种现象的产生，是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下，分别向片子横向两侧偏转和积聚，因而形成一个电场，称作霍尔电场。霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反，它阻碍载流子继续堆积，直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。这时，片子两侧建立起一个稳定的电压，这就是霍尔电压，这个半导体薄片称为霍尔元件。 霍尔元件可用多种半导体材料制作，如ge、si、insb、gaas、inas、inasp等等。

感应范围：0°至 360°

分辨率：0.11°

供电电压：12 Vdc至 30 Vdc

供电电流：90 mA*

输出：4mA至  20mA （模拟）

空气间隙：3,0±2,0mm[0.118±0.079in]

工作温度范围：-40  C 至 85  C [-40  F 至 185  F]

存储温度范围：-40  C 至 150  C [-40  F 至 302  F]

0 mm 至 35 mm [0 in 至 1.38 in]

0 mm 至 75 mm [0 in 至 2.95 in]

0 mm 至 225 mm [0 in 至 8.86 in]

这些传感器采用了集成电路 (ASIC) 和磁阻 (MR) 传感器阵列的zhuan利组合，可可靠地确定贴附在移动物体上的磁体的位置，从而确定或控制此对象的位置。

MR 阵列测量沿着磁体的行程方向安装的 MR 传感器的输出。利用输出和 MR 传感器序列可确定与磁体位置中心距离近的一对 MR 传感器。然后这两个 MR 传感器的输出可用于确定它们之间的磁体位置。

Honeywell霍尼韦尔位置传感器SPS-L075-HALS作用