代换FDD8874-苏州华镁

代换FDD8874应用消费类电子mos管控制封装
FDD8874封装内部的互连技术
FDD8874TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术，当CPU或GPU供电发展到低电压、大电流时代，焊线式的SO-8封装就受到了封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。

代换FDD8874应用消费类电子mos管控制-华镁工厂优势
1)代换FDD8874研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化（IDM+Foundry模式），并与晶圆厂达成战略合作，80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师，专注于电源保护（锂电池保护、储能方面）、电机驱动市场上的应用，并提供个性化开发，产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位，目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款，现货库存充足，中低压型号规格齐全。
交期快，无论是新老产品更新到出品，还是量产产品出货。
2）代换FDD8874多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺，并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列（40V-1500V）
? *的横向变掺杂技术终端实现技术；
? 专有的功率MOS结构；
已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管
Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系，电压范围从-100V~200V
SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下，内阻更小，芯核产热小，启动更快
以上产品华镁申请了多项，在锂电池保护方面我们拥有5项，专注MOS管领域
3）代换FDD8874数据对标 实力体现

华镁无论与国内还是国外数据对标，在内阻上更低，芯片产热更低
4）购买无忧 省心省时
售前：有FAE提供*的选型意见，并可免费为客户提供其他产品的检测
售中：提供样品的定制，出样周期短
售后：出现产品售后问题，有相应工程师提供*意见，分析问题，解决问题。根据客户市场应用，提供定制化产品，更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。

代换FDD8874应用场合
产品广泛应用于各行各业消费类电子，电源保护及电机驱动。
家用电子类：移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等
电动车类：电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车
电动工具类：电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器
电动玩具类：、打鱼机、儿童电动玩具
其他：太阳能LED路灯
代换FDD8874常见问题
FDD8874J极电压失效的预防措施：册极和源极之间的过电压保护：如果栅极和源极之间的阻抗过高，漏极和源极之间电压的突然变化将通过电极间电容耦合到栅极上，导致非常高的UGS压调，从而导致栅极调。如果是正方向上的UGS瞬态电压，设备也可能导通错误。为此，应适当降低栅极驱动电路的阻抗，并在栅极和源极之间并联一个阻尼电阻或一个稳压约20V的调压器。必须特别注意防止开门操作。
非水管之间的过电压保护：如果电路中存在电感负载，当设备关闭时，漏极电流（di/dt)的突然变化将导致漏极电压调，这远远高于电源电压，从而导致设备损坏。应采取齐纳钳、RC钳或RC抑制电路等保护措施。

例

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。