半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术

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近日挪威科技大学的研究人员开发出一种半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。

　　以Helge Weman教授为首的挪威科技大学电子与电讯系的研究团队和CrayoNanoAS公司共同研制，并联合申请了。该产品采用自动分子束外延生长法，在原子级薄石墨烯上生成半导体纳米线，新电极具有透明、韧性佳且价格低廉。Weman教授认为这种纳米线虽然不是一个全新产品，但它是半导体装置生产方法的一个新模板，该技术可应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产。