代换AON7242-苏州华镁

来源:苏州华镁忆芯半导体有限公司
发布时间:2022-04-18 10:54:55

代换AON7242低电压大电流封装
AON7242未来,随着电子制造业继续朝着薄、小型化、低电压、大电流方向的发展,MOS管的外形及内部封装结构也会随之改变,以更好适应制造业的发展需求。另外,为降低电子制造商的选用门槛,MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显,产品将从性能、成本等多维度协调发展。
AON7242而封装作为MOS管选型的重要参考因素,不同的电子产品有不同的电性要求,不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选用中,应在大原则下,根据实际需求情况来做抉择。
代换AON7242-苏州华镁
代换AON7242低电压大电流-华镁工厂优势
1)代换AON7242研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化(IDM+Foundry模式),并与晶圆厂达成战略合作,80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师,专注于电源保护(锂电池保护、储能方面)、电机驱动市场上的应用,并提供个性化开发,产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位,目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款,现货库存充足,中低压型号规格齐全。
交期快,无论是新老产品更新到出品,还是量产产品出货。

2)代换AON7242多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET,600V~1200V SJ MOSFET ,第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺,并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列(40V-1500V)
? *的横向变掺杂技术终端实现技术;
? 专有的功率MOS结构; 

已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作,与trench工艺相比,具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构,Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管

Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系,电压范围从-100V~200V

SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下,内阻更小,芯核产热小,启动更快

以上产品华镁申请了多项,在锂电池保护方面我们拥有5项,专注MOS管领域

3)代换AON7242数据对标 实力体现

产品名

沟道类型    

封装形式    

VDSV

IDA

VGSV

VTHV

RDSON @10V mΩ) Typ

华镁D85V43N

N

TO-252

30

85

±20

1.7

3.7

国外IRLR8726

N

TO-252

30

86

±20

1.8

4

华镁D8507NX

N

TO-252

30

80

±20

1.6

4.8

国内 3080

N

TO-252

30

80

±20

1.6

5.5

华镁无论与国内还是国外数据对标,在内阻上更低,芯片产热更低

4)购买无忧 省心省时
售前:有FAE提供*的选型意见,并可免费为客户提供其他产品的检测
售中:提供样品的定制,出样周期短
售后:出现产品售后问题,有相应工程师提供*意见,分析问题,解决问题。根据客户市场应用,提供定制化产品,更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。

代换AON7242应用场合

产品广泛应用于各行各业消费类电子,电源保护及电机驱动。

家用电子类:移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等

电动车类:电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车

电动工具类:电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器

电动玩具类:、打鱼机、儿童电动玩具

其他:太阳能LED路灯


代换AON7242常见问题
AON7242本二级管故障:不同的拓扑和电路中,MOS管具有不同的作用。例如,在LLC中,体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数,因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下,MOS都处于开或关的状态,不用考虑MOS的开关速度,会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点:
1,注意DS电压,设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作电流与保护电流,经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3,多颗MOS并联,电流的余量尽量再大一点。
4,走大电流的方案,要综合考虑封装散热,内阻。
5,驱动电压要了解,尽量使MOS工作在完全开启状态,对于单片机驱动的方案,尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型,BVDDS ,ID导通电流,VGS(th),RDSON这几项参数。


代换AON7242-苏州华镁

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