射频导纳开关FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD
射频导纳开关的工作原理及作用
一、工作原理
射频导纳开关基于射频导纳技术,通过高频无线电波测量与储罐体间的电抗(容抗和阻抗)变化实现物位检测。其核心结构包括测量、保护及电子单元,具体过程如下:
平衡电桥电路
测量与空载罐体间的电抗构成平衡电桥电路,产生稳定振荡信号。当被测介质覆盖时,电抗变化导致电桥电路失衡,振荡信号停止,后级电路检测到这一变化并输出报警信号。
保护的电气隔离
振荡信号同时施加于测量与保护,两者通过1:1电压跟随器实现等电位、同相位、同频率的隔离。当挂料时,测量与保护间无电势差,形成电气隔离,确保挂料信号不影响检测,仅由物料决定电抗变化。
相位检测技术
电子线路处理容抗和阻抗的综合变化信号,采用相位检测技术将电抗变化转化为可检测的信号,进而改变继电器输出状态,实现物位控制。
射频导纳开关FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD

射频导纳开关FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD是一款高性能的电子元件,广泛应用于通信、、工业等领域。该产品具有以下特点:
一、高精度设计
FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD采用高精度设计,导纳精度高达±1%,确保信号传输的稳定性和可靠性。
二、宽频带应用
该射频导纳开关的频带宽,覆盖从10kHz至2.5GHz,满足不同应用场景的需求。
三、快速响应时间
FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD具有快的响应时间,小于5μs,适用于高速信号传输场合。
四、低插入损耗
产品在1GHz频段内的插入损耗小于0.5dB,确保信号在传输过程中的损耗。
五、高隔离度
FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD的隔离度高达60dB,有效防止信号干扰,保证系统稳定运行。
六、抗干扰能力强
该射频导纳开关具备较强的抗干扰能力,即使在复杂的电磁环境中,也能保证正常工作。
七、可靠性高
FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD采用高品质材料,经过严格的生产工艺和检测流程,保证了产品的可靠性和使用寿命。
之,FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD射频导纳开关凭借其高精度、宽频带、快速响应、低插入损耗、高隔离度、抗干扰能力强、可靠性高等优点,成为众多电子工程师的理想选择。无论是在通信、还是工业领域,都能发挥*的性能,为用户带来便捷和的解决方案。
射频导纳开关FTI51-A1B1GGJ43A1A WVD


以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,仪器仪表交易网对此不承担任何保证责任。
温馨提示:为规避购买风险,建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。