华能手持式选频电平表 HN5018A电平振荡器接线图例
来源：青岛华能远见电气有限公司
发布时间：2022-01-17 18:02:19
华能手持式选频电平表 HN5018A电平振荡器接线图例 串联单点接地的方式简单，但是存在共同地线的原因，导致存在公共地线阻抗，如果此时串联在一起的是功率相差很大的电路，那么互相干扰就非常严重。并联单点接地的方式可以避免公共地线耦合的因素，但是每部分电路都需要引地线到接地点上，需要的地线就过多，不实用。所以，在实际应用时，可以采用串联和并联混合的单点接地方式。在画PCB板时，把互相不易干扰的电路放一层，把互相容易发生干扰的电路放不同层，再把不同层的地并联接地。
HN5018选频电平表（手持式）电平振荡器
适用于通信系统对基带特性的测试，特别适用于电力载波通信设备和电力保护高频通道的调试、开通、维护测试，以及大专校相关*的教学和实验。
仪表采用 ARM 微功耗、高性能微处理技术，3.5 〞彩色 LCD 显示，全中文菜单式界面，数字键盘式操作，内置可充电锂电池，交 / 直流供电。使得仪器体积小，重量轻，功能强大，性能稳定，显示清晰，操作十分简便。
测量数据自动存贮，可以在本机查询，也可以通过 USB 口到 U 盘，传输到 PC 机处理或打印报表。仪表具有自动电平校准、自动量程切换、 AFC 频率自动跟踪、快速自动搜索、近端同步测量、远端双机自动对测、
阻抗测量、杂音测量等功能。
HN5018 手持选频电平主要技术特性
|
频率范围 |
宽频测量 200Hz～1700kHz （平衡600Ω，200Hz～620kHz） |
|
|
选频测量 |
B=25Hz 200Hz～1700kHz（平衡600Ω，200Hz～620kHz） |
|
|
B=1.74kHz 4kHz～1700kHz（平衡600Ω，4kHz～620kHz） |
||
|
频率调节 |
数字键或增量上 / 下键输入，频率误差 ±1×10 -6 ±1Hz ，增量调节步长由用户设定， AFC 全频段跟踪 |
|
|
AFC 全频段跟踪，捕捉带 B=25Hz ：约 ±50Hz; B=1.74k Hz ：约 ±500Hz ； |
||
|
自动搜索功能，可搜索电平-80dB |
||
|
电平范围 |
宽频测量 -50dB～+50dB |
|
|
选频测量 |
B=25Hz -80dB～+50dB |
|
|
B=1.74kHz -70dB～+50dB |
||
|
电平显示器 |
LCD汉字图形显示，菜单式操作，测量结果有数字和模拟棒两种指示。分辨率0.01dB，具有dB、dBm、mV三种单位显示 |
|
|
电平范围 |
宽频测量 -50dB～+50dB |
|
|
选频测量 |
B=25Hz -80dB～+50dB |
|
|
B=1.74kHz -70dB～+50dB |
||
|
电平显示器 |
LCD汉字图形显示，菜单式操作，测量结果有数字和模拟棒两种指示。分辨率0.01dB，具有dB、dBm、mV三种单位显示 |
|
|
输入阻抗 |
不平衡：75Ω、∞， 高电平输入：≈30kΩ |
|
|
平衡：600Ω、150Ω、∞ |
||
|
电平测量误差 |
具有0dB电平自动校正，0dB固有误差：±0.1dB，电平线性误差：±0.25dB |
|
|
频率选择性 |
两种带宽 |
B=25Hz 3dB带宽约24Hz |
|
B=1.74kHz 3dB带宽约1.74kHz |
||
|
中频衰减 ≥60dB； 镜象频率衰减 ≥70dB |
||
|
固有失真衰减 |
≥ 60dB |
|
|
回波损耗 |
≥30dB |
|
|
机内固有噪音 |
＜ -100dB |
|
|
纵向干扰衰减 |
≥40dB |
|
HN5019手持电平振荡器主要技术特性
|
频率误差 |
±1×10-6±1Hz，分辨率1Hz |
|
输出电平与阻抗 |
不平衡0Ω -77.9dB～+20dB，允许外接75Ω |
|
不平衡75Ω -77.9dB～+14dB，（-68.9dBm～+23dBm） |
|
|
平衡 0Ω -71.9dB～+20dB |
|
|
平衡150Ω -77.9dB～+20dB，（-71.9dBm～+26dBm） |
|
|
平衡600Ω -77.9dB～+20dB |
|
|
电平显示器 |
LCD汉字图形显示，菜单式操作， 电平数字指示，具有dB、dBm、mV 三种单位显示 |
|
频率与电平调节 |
采用数字键或增量上 /下键输入 |
|
增量调节:频率、电平步长由用户设定 |
|
|
输出电平误差 |
0dB固有误差 ±0.1dB |
|
电平线性误差 ±0.2dB |
|
|
输出信号平衡度 |
≥40dB |
|
失真衰减 |
二、三次谐波衰减 ≥46dB |
|
非谐波和杂散衰减 ≥46dB |
另外，晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶体管的掺杂程度有关。半导体器件产生的散粒噪声由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压减小时，它又使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这种变化会引起流过势垒区的电生微小波动，从而产生电流噪声。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
