参数 6SL3255-0AA00-4HA1高级面板

本公司主要经营：西门子S72/3/400、S71200、S71500全系列，触摸屏6AV，DP接头，6XV总线电缆，通讯模块6GK系列，SITOP电源6EP系列。变频调速器MM4,6RA70,6RA80系列及各种附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及变频调速器配件。数控伺服6SN,6FC,S120,G120。产品全新原装，质保一年

6SL3255-0AA00-4HA1高级面板TD200文本显示器：一种简易的人机接口，早PLC运行时操作人员可以通过它读取信息、输入命令；。此种情况下的操作频率可高达100kHz。39:SM323数字卡所占用的地址是?

绝缘栅双极型晶体管 IGBT 是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件 , 其输入极为 MOSFET, 输出极为 PNP 晶体管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点 , 既具有 MOSFET 器件驱动简单和快速的优点 , 又具有双极型器件容量大的优点 , 因而 , 在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中 ,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点 , 已逐步取代晶闸管或 GTO 。但是在开关电源装置中 , 由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下 , 使得它容易损坏 , 另外 , 电源作为系统的前级 , 由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而 , 在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外 , 对 IGBT 的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。

IGBT：
1、可以等效为（或理解为）：场效应管与大功率三极管组成的复合管。
2、特性类似于场效应管。输入阻抗非常高，输出阻抗低，驱动功率非常小，主要是结电容引起的驱动电流、放大倍数高。
3、开关频率较高，耐压高、通流能力强（额定电流大）。
4、主要用于：变频器（逆变）、电磁炉，中、大功率逆变、氩弧焊机等、高频电源

IGBT模块FD300R12KE3
IGBT模块CM400HA-24A
IGBT模块FZ1200R16KF4_S1
IGBT模块6SY7000-0AC37
IGBT模块FZ1200R12KF5
IGBT模块6SY7000-0AC77
IGBT模块FF150R12KE3G
IGBT模块1MBI300SA-120B-52
IGBT模块1MBI200SA-120B-52
IGBT模块SKIIP 11NAB063T42
IGBT模块FF200R12KE3
IGBT模块BSM25GP120
IGBT模块FZ1000R12KF5
IGBT模块6SY7000-0AC80
IGBT模块6SY7000-0AD33
IGBT模块FZ1000R16KF4
IGBT模块6SY7000-0AD04
IGBT模块6SY7000-0AC85
IGBT模块SKM200GB128D
IGBT模块FZ2400R17KE3

6SL3255-0AA00-4HA1高级面板机架即是用于安装固定各个模块的槽架。PLC的各个模块就遵循一定的规则固定在上面。每个机架中：插槽1为电源模板插槽；插槽2为CPU模板插槽；插槽3留给通讯模板接口模板及扩展模板。插槽4以后留给应用模板。每个模块*多可以安装8个应用模块。模块的底部通过总线连接器与前后的模块想连接，构成一个整体系统。中心机架至少应装配电源模块和CPU模块，再根据需要配置其他功能模块。 处理方法：更换模块（带点拔出模块，去除连线，更换新的模块）。此种情况下的操作频率可高达100kHz。

IGBT 的等效电路如图 1 所示。由图 1 可知 , 若在 IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压 , 则 MOSFET 导通 , 这样 PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通 ; 若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为 0V, 则 MOSFET 截止 , 切断 PNP 晶体管基极电流的供给 , 使得晶体管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：
—— IGBT 栅极与发射极之间的电压 ;

如果 IGBT 栅极与发射极之间的电压 , 即驱动电压过低 , 则 IGBT 不能稳定正常地工作 , 如果过高过栅极－发射极之间的耐压则 IGBT 可能*性损坏 ; 同样 , 如果加在 IGBT 集电极与发射极允许的电压过集电极－发射极之间的耐压 , 流过 IGBT 集电极－发射极的电流过集电极－发射极允许的*电流 ,IGBT 的结温过其结温的允许值 ,IGBT 都可能会*性损坏。

6SL3255-0AA00-4HA1高级面板标记 6ES7422-1HH00-0AA016点继电器输出 6ES7431-7QH00-0AB016点模拟量输入 6ES7431-1KF00-0AB08点模拟量输入 6ES7431-7KF00-0AB08点模拟量输入 6ES7431-7KF10-0AB08点模拟量输出 6ES7432-1HF00-0AB08点模拟量输出 6ES7460-0AA01-0AB0扩展模块 6ES7461-0AA01-0AA0扩展模块 6ES7461-0AA00-7AA0终端电阻 6ES7468-1BB50-0AA0扩展电缆 6ES7492-1AL00-0AA0接线端子 6EP1333-2AA01单相220VAC输入,输出24VDC,5A 6EP1333-2BA00单相220VAC输入,输出24VDC,5A 6EP1334-2AA01单相220VAC输入输出24VDC,10A 6EP1334-2BA01单相220VAC输入,输出24VDC,10A 6EP1336-2BA00单相220VAC输入,输出24VDC,20A 6EP1336-3BA00单相220VAC输入,输出24VDC,20A 6EP1436-2BA00三相380VAC输入,输出24VDC,20A 6ED1052-1HB00-0BA5LOGO24RC24VDC电源8点24VDC输入,4点继电器输出 6ED1052-1FB00-0BA5LOGO230RC220VAC电源8点220VAC输入,4点继电器输出 6ED1055-1FB00-0BA1DM8230RC扩展4点220VAC输入,4点继电器输出 6ED1057-1AA00-0BA0上位机编程电缆 6ED1056-5CA00-0BA0LOGO！存储器程序存储 6EP1331-1SH02LOGO!电源1.3A 6EP1332-1SH42LOGO!电源2.5A 6AV6545-0BB15-2AX0TP170B6"蓝色512K内存触摸屏 6AV6545-0BC15-2AX0TP170B6"彩色512K内存触摸屏 6AV6545-0CA10-0AX0TP2706"256色2M内存触摸屏 6AV6545-0CC10-0AX0TP27010"256色2M内存触摸屏 6AV6545-0DA10-0AX0MP37012"256色触摸屏 6AV6545-0DB10-0AX0MP37015"256色触摸屏 6AV6542-0BB15-2AX0OP170B蓝色MPI/PROFIBUSDP操作屏 6AV6542-0CA10-0AX0OP2706"256色2M内存操作屏 6AV6542-0CC10-0AX0OP27010"256色2M内存操作屏 6AV6545-0AA15-2AX0TP0705.7"蓝色128K用户内存触摸屏 6AV6545-0AG10-0AX0MP270B10"触摸256色4M内存触摸屏 6AV6545-0BA15-2AX0TP170A6"蓝色256K内存触摸屏 6AV6642-0DC01-1AX0OP177B5.7寸用户内存2048K蓝色触摸屏 6AV6643-0BA01-1AX0OP2775.7寸用户内存4M代替OP270触摸屏 6AV6643-0CB01-1AX1MP2777.5寸用户内存6M触摸 64：在FM350-2中,工作号的作用是什么? 工作号是S7－300CPU与FM进行通讯的任务号,每次的交换数据只是部分数据交换,而非全部数据,这样可以减少FM的工作负载,工作号又分写工作号和读工作号,例如在FM350－2中DB1为通讯数据块,如果把写工作号12写入到DB1.DBB0中,把200写入到DB1.DBD52中,再调用FC3写功能,这样*个计数器的初始值为200,这里工作号10的任务号是写*个计数器的初始值,DB1.DBB0为写工作号存入地址,DB1.DBD52为*个计数器装载地址区,同样读工作号100为读前4路,101为读后4路计数器,读工作号存入地址为DB1.DBB2。

2  保护措施
在进行电路设计时 , 应针对影响 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相应的保护措施。
2 ． 1 IGBT 栅极的保护
IGBT 的栅极－发射极驱动电压 VGE 的保证值为 ± 20V, 如果在它的栅极与发射极之间加上出保证值的电压 , 则可能会损坏 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外 , 若 IGBT 的栅极与发射极间开路 , 而在其集电极与发射极之间加上电压 , 则随着集电极电位的变化 , 由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在 , 使得栅极电位升高 , 集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时 , 可能会使 IGBT 发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开 , 在不被察觉的情况下给主电路加上电压 , 则 IGBT 就可能会损坏。为防止此类情况发生 , 应在 IGBT 的栅极与发射极间并接一只几十 k Ω 的电阻 , 此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 双极晶体管的复合体 , 特别是其栅极为 MOS 结构 , 因此除了上述应有的保护之外 , 就像其他 MOS 结构器件一样 ,IGBT 对于静电压也是十分敏感的 , 故而对 IGBT 进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：

2  集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有两种情况 , 一种是施加到 IGBT 集电极－发射极间的直流电压过高 , 另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1  直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或 IGBT 的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取 IGBT 时 , 进行降额设计 ; 另外 , 可在检测出这一过压时分断 IGBT 的输入 , 保证 IGBT 的安全。
2.2.2  浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在 , 加之 IGBT 的开关速度较高 , 当 IGBT 关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时 , 就会产生很大的浪涌电压 Ldi/dt, 威胁 IGBT 的安全。

6SL3255-0AA00-4HA1高级面板西门子(SIEMENS)6ra70调试故障(Ⅲ) 图2-5所示为参考电位接地的结构（用跨接线实现）。

参数 C98043-A7100-L204：http://www.testmart.cn/Home/News/data_detail/id/797645262.html