半导体激光器基本特性实验仪 型号：JDBJ-2
半导体激光二极管（LD）或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，（处于高能级E2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级E1，这个过程称为光的受激辐射，所谓一模一样，是指发射光子和感应光子不仅频率相同，而且相位、偏振方向和传播方向都相同，它和感应光子是相干的。）是一种阈值器件。
实验内容
1.学半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理
2.了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系
3.测量半导体激光器输出功率和注入电流，并画出P-I关系曲线。
4.根据P-I特性曲线，找出半导体激光器闭值电流，计算半导体激光器斜率效率。
技术指标：
工作电压：190V~220V。
仪器使用三位半数码表显示电流、电压，功率精度±1mV。
实验误差：±3％。
电压表：20V；电流表：200mA；
光功率：200mW、2mW、20mW。
