全新SICK施克接近传感器IME08-04NPSZW2S构造特点

全新SICK施克接近传感器IME08-04NPSZW2S构造特点

产品参数：

供电电压 10 V DC ... 30 V DC

残余纹波 ≤ 10 %

电压下降 ≤ 2 V 1)

（接近传感器）通电后开始工作前的延时 ≤ 100 ms

滞后 5 % ... 15 %

再现性

≤ 2 % 2)

温度漂移 (Sr) ± 10 %

电磁兼容性 根据 EN 60947-5-2

持续性电流 Ia ≤ 200 mA

空载电流 ≤ 10 mA

短路保险 ✔

通电脉冲保护 ✔

抗冲击与抗振性 30 g, 11 ms/10 Hz ... 55 Hz, 1 mm

运行环境温度 –25 °C ... +75 °C

外壳材料 黄铜, 镀镍

材料，感应面 塑料, PA 66

壳体长度 50 mm

VICKERS DG17V-3-6C-60-EN505 EATON 02-135316

VICKERS DG17V-3-6CL-60 EATON 02-338565

VICKERS DG17V-3-6N-60 EATON 02-155008

VICKERS DG17V-3-6N-60-EN421 EATON 02-135673

VICKERS DG17V-3-6N-60-EN437 EATON 02-390870

VICKERS DG17V-3-6N-60-EN444 EATON 02-364048

当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势0，其中 K 为霍尔系数， I 为薄片中通过的电流， B 为外加磁场（洛伦磁力 Lorentz ）的磁感应强度， d 是薄片的厚度。由此可见，霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。

VICKERS DG17V-3-6N-60-EN528 EATON 02-303481

全新SICK施克接近传感器IME08-04NPSZW2S构造特点