Otsuka 大塚 离线式晶圆兼容线扫描薄膜厚度计

发布时间:2026-07-03

一、产品概述

离线式线扫描薄膜厚度计(晶圆兼容型)是 Otsuka 大塚面向半导体晶圆制程推出的离线全域膜厚检测设备,依托光谱干涉检测光路与新一代高精度膜厚拟合算法,搭载自动线性扫描测头,可完整测绘* 12 英寸硅晶圆整片表面薄膜厚度分布,实现晶圆氧化层、光刻胶、介质多层膜全域无损高速检测,适配半导体研发实验室、晶圆工厂离线质检工位。

二、核心规格参数

  1. :Otsuka 大塚

  2. 型号:离线式线扫描薄膜厚度计(晶圆兼容型)

  3. 适配晶圆尺寸:* 12 英寸硅晶圆,兼容 6/8 英寸标准晶圆

  4. 检测原理:光谱干涉反射法,搭配 MCPD 多通道光谱采集单元

  5. 扫描性能:全域面内线性扫描,一次性输出整片晶圆 2D 膜厚分布云图,高速批量测量

  6. 检测方式:非接触光学无损测量,无划伤、无化学腐蚀,晶圆可重复测试

  7. 适配薄膜类型:氧化硅、氮化硅、光刻胶、金属膜、多层复合介质膜

  8. 光学材质:SUS316L 电解抛光光路,低析出无颗粒污染,满足无尘车间标准

  9. 整机结构:台式离线一体化整机,内置电动位移载台,自动定位晶圆、自动扫描

三、核心技术优势

1. 12 英寸晶圆全域完整面扫描,无检测盲区

线性扫描测头配合电动 XY 载台,完整覆盖整片晶圆表面,区别单点膜厚设备仅能采集局部点位,可*识别晶圆边缘、中心、沟槽区域膜厚差异,完整还原晶圆面内膜厚均匀性分布。

2. 光谱干涉 + 高精度多层膜算法

融合 Otsuka 独有光谱干涉测量技术,搭配新一代薄膜厚度运算处理算法,针对波长相关多层复合膜*拟合,同步输出每层厚度、折射率、消光系数,解决半导体堆叠膜层检测失真难题。

3. 半导体无尘洁净适配设计

光路、载台接触面镜面抛光处理,无金属粉尘、离子析出,不会污染晶圆芯片,整机可放置千级 / 万级无尘车间离线质检工位。

4. 高速离线批量检测,缩短研发 / 质检时长

整片晶圆全域扫描速度快,支持批量晶圆自动上下料扫描,一次性生成膜厚分布报告,大幅降低人工单点检测耗时,适配工艺研发迭代、出厂批次抽检。

5. 离线独立台式结构,不占用产线在线工位

无需嵌入自动化产线,作为离线抽检设备使用,不干扰连续生产流程,可用于新工艺验证、不良品复盘、批次质量抽检。

四、核心功能

  1. 完整扫描 12 英寸及以下晶圆整片表面,输出二维膜厚均匀性分布云图;

  2. 高精度解析单层 / 多层半导体薄膜厚度与光学常数,适配氧化层、光刻胶、钝化层检测;

  3. 非接触无损检测,贵重晶圆可反复多次测量,无报废损耗;

  4. 自动定位晶圆、自动规划扫描路径,一键完成全流程测量与数据导出;

  5. 数据自动存档,完整留存晶圆膜厚数据,用于工艺溯源、研发对比。

五、典型应用场景

  1. 半导体晶圆制造:硅片氧化层、氮化层、光刻胶、钝化介质膜全域厚度均匀性检测;

  2. 芯片研发实验室:*薄膜工艺、多层堆叠膜配方迭代验证;

  3. 晶圆代工工厂:批次产品离线抽检、不良晶圆膜厚缺陷复盘分析;

  4. *封装、Mini/Micro LED 芯片晶圆薄膜光学特性表征。


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